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Un proveedor de materiales de silicona especializados lanzó esta semana un gel de silicona de baja pérdida dieléctrica optimizado para envases de semiconductores avanzados 2,5D y 3D. El gel curado con platino presenta un factor de disipación ultrabajo, baja expansión térmica y propiedades suaves de absorción de estrés, diseñado para proteger la memoria de gran ancho de banda y los chips informáticos de IA del daño del ciclo térmico. A diferencia de la silicona para encapsulado electrónico convencional, este grado evita la interferencia de la señal en frecuencias altas de GHz, un requisito crítico para los procesadores de centros de datos de próxima generación. Fluye fácilmente para llenar microespacios sin que quede aire atrapado y mantiene un rendimiento eléctrico constante de -55 °C a 165 °C. Los fabricantes de envases de semiconductores anteriormente luchaban con materiales de silicona estándar que aumentaban la atenuación de la señal y provocaban delaminación después de largas horas de funcionamiento. Esta nueva formulación utiliza polímeros de silicona lineales refinados sin grupos de relleno pesados, lo que respalda la dosificación automatizada y el curado rápido a temperatura ambiente. Los compradores de la industria de Asia y América del Norte están comenzando a calificar muestras para módulos de chips de servidor. Los analistas pronostican que la silicona de baja pérdida para envases avanzados verá un crecimiento de la demanda de dos dígitos hasta 2027 a medida que se expandan las implementaciones de servidores de IA.
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