Descripción general del producto
Nuestra silicona para encapsulado electrónico está especializada en equipos de grabado por plasma, diseñada para encapsular, sellar, llenar y proteger contra la presión de sus componentes electrónicos principales, módulos de control y unidades de sensores. Como fabricante líder de silicona líquida y silicona de curado por adición , optimizamos la fórmula para escenarios de grabado por plasma, mejorando la resistencia a la corrosión por plasma y el rendimiento de desgasificación ultrabaja para adaptarnos a condiciones de trabajo de alto vacío y alta temperatura. Supera a la resina epoxi en cuanto a flexibilidad y estabilidad química, cura a temperatura ambiente o elevada y garantiza una protección confiable para los componentes de grabado por plasma, lo que extiende la vida útil y reduce las tasas de falla de los equipos para los fabricantes de semiconductores.
Características y ventajas clave
- Excelente resistencia a la corrosión por plasma : la fórmula optimizada especial resiste la erosión de los gases de grabado por plasma, evitando la degradación del material y las fallas del aislamiento, lo que garantiza la estabilidad a largo plazo en entornos de plasma de grado semiconductor.
- Desgasificación ultrabaja : Cumple con los estándares de desgasificación de la industria de semiconductores, no se liberan sustancias volátiles nocivas en entornos de alto vacío, lo que evita la contaminación de las cámaras de grabado y los componentes de precisión.
- Estabilidad de temperatura extrema : funciona de manera estable desde -60 ℃ a 220 ℃, soporta ciclos de alta temperatura durante el grabado con plasma, absorbiendo la tensión interna para proteger las virutas y los cables de oro de soldadura contra daños.
- Baja volatilidad y fuerte adherencia : contenido volátil ultrabajo, no tóxico y respetuoso con el medio ambiente; fuerte adhesión a PC, PMMA, PCB y varios metales, lo que garantiza un sellado hermético y sin pelado en operaciones de alto vacío a largo plazo.
- Curado flexible y personalización : Fórmula de curado por adición, compatible con curado a temperatura ambiente o con calor (curado completo en 24 horas); Como fabricante profesional de compuestos de encapsulado de silicona , podemos personalizar la dureza, la viscosidad y el tiempo de operación para que coincidan con los diferentes modelos de equipos de grabado por plasma.
Cómo utilizar
- Preparación previa a la mezcla: Agite bien el Componente A para distribuir uniformemente los rellenos sedimentados y agite el Componente B vigorosamente para garantizar la uniformidad, evitando la estratificación que afecta la resistencia a la corrosión y el rendimiento de desgasificación.
- Mezclado de precisión: Siga estrictamente la proporción de peso recomendada del Componente A al B, revolviendo lenta y uniformemente durante 2 a 3 minutos para evitar la introducción de burbujas de aire que afecten el sellado y la compatibilidad con el vacío.
- Desgasificación: después de mezclar, coloque el adhesivo en un recipiente al vacío a 0,01 MPa durante 3 minutos para eliminar las burbujas de aire, asegurando una penetración total en los pequeños espacios de los componentes de grabado con plasma.
- Curado: Vierta la mezcla desgasificada en las carcasas de los componentes; cure a temperatura ambiente o calentado para acelerar, ingrese al siguiente proceso después del curado básico y garantice un curado completo durante 24 horas. Nota: La temperatura y la humedad ambientales tienen un impacto significativo en la velocidad de curado.
Escenarios de aplicación
Este compuesto de encapsulado de silicona especializado es exclusivamente para equipos de grabado por plasma, incluidas máquinas de grabado de obleas semiconductoras, sistemas de grabado por plasma para pantallas planas y dispositivos de grabado de componentes microelectrónicos. Es adecuado para encapsular, sellar y llenar sus componentes electrónicos principales, placas PCB y conexiones de sensores, lo que garantiza un funcionamiento estable en entornos de plasma corrosivo, de alta temperatura y de alto vacío. Reduce los costos de mantenimiento de los equipos, mejora la eficiencia de la producción y es compatible con la creación rápida de prototipos de silicona para acelerar la I+D de nuevos equipos de grabado por plasma.
Especificaciones técnicas
Tipo de curado: curado por adición; Proporción de mezcla (A:B): Personalizable (según los requisitos); Apariencia: Líquido (componentes A y B); Viscosidad: Personalizable; Dureza (Orilla A): Personalizable; Rango de temperatura de funcionamiento: -60 ℃ a 220 ℃; Rigidez dieléctrica: ≥25 kV/mm; Resistividad de volumen: ≥1,0×10¹⁶ Ω·cm; Tiempo de curado: 24 horas (temperatura ambiente), acelerado mediante calentamiento; Sustratos de unión: PC, PMMA, PCB, CPU, aluminio, cobre, acero inoxidable; Resistencia a la corrosión por plasma: Excelente; Tasa de desgasificación: Cumple con los estándares de la industria de semiconductores. La dureza, la viscosidad y el tiempo de operación se pueden personalizar completamente.
Certificaciones y cumplimiento
Nuestra silicona para encapsulado electrónico cumple con los estándares industriales y de semiconductores internacionales: ISO 9001 (estricto control de calidad), certificación CE (estándares de seguridad europeos), directiva RoHS de la UE (libre de sustancias peligrosas), cumple con los requisitos globales de seguridad y rendimiento de los equipos de grabado por plasma y obtiene el reconocimiento de los socios globales de adquisición de semiconductores.
Opciones de personalización
Ofrecemos soluciones personalizadas de grado semiconductor: formulaciones personalizadas (ajustar la resistencia a la corrosión del plasma, la tasa de desgasificación y la velocidad de curado), optimización de la compatibilidad del vacío y opciones de embalaje flexibles para satisfacer las necesidades de producción a gran escala y personalización de lotes pequeños de los fabricantes de equipos de grabado por plasma.
Proceso de producción y control de calidad
Implementamos un estricto proceso de control de calidad de cinco pasos: purificación de la materia prima (cribado de silicona de alta pureza), formulación de precisión (mezcla automatizada para un compuesto de silicona consistente), pruebas de rendimiento (resistencia a la corrosión por plasma, aislamiento, tasa de desgasificación, adhesión), verificación de curado y embalaje sellado. Nuestras instalaciones tienen una capacidad mensual de más de 500 toneladas y respaldan grandes pedidos globales de equipos de grabado por plasma.
Preguntas frecuentes
P: ¿Es adecuado para uso a largo plazo en entornos de grabado con plasma?
R: Sí, tiene una excelente resistencia a la corrosión por plasma y una desgasificación ultrabaja, lo que mantiene un rendimiento estable en operaciones de alto vacío a largo plazo.
P: ¿Puede evitar la contaminación de las cámaras de grabado?
R: Sí, su tasa de desgasificación ultrabaja cumple con los estándares de semiconductores, lo que evita la contaminación de la cámara.
P: ¿Cuál es el tiempo de curado?
R: 24 horas a temperatura ambiente, que puede acelerarse calentando.
P: ¿Cuál es la vida útil?
R: 12 meses almacenado sellado en un lugar fresco y seco.
P: ¿Cómo manejar el coloide estratificado?
R: Revuelva uniformemente antes de usar, lo que no afectará el rendimiento del producto.
Shenzhen Hong Ye Jie Technology Co., Ltd
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